- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录122 > BAS86,115 (NXP Semiconductors)DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80C
      NXP Semiconductors BAS86 Schottky barrier single diode BAS86 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2012. All rights reserved Product data sheet 25 July 2012 3 / 9 6. Thermal characteristics Table 6. Thermal characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient in free air [1] - - 320 K/W [1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint. 7. Characteristics Table 7. Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit IF = 0.1 mA; T amb = 25 °C - - 300 mV IF = 1 mA; T amb = 25 °C - - 380 mV IF = 10 mA; T amb = 25 °C - - 450 mV IF = 30 mA; T amb = 25 °C - - 600 mV VF forward voltage IF = 100 mA; T amb = 25 °C - - 900 mV IR reverse current VR = 40 V; T amb = 25 °C; pulsed; tp ≤ 300 μs; δ ≤ 0.02 - - 5 μA Cd diode capacitance f = 1 MHz; T amb = 25 °C; V R = 1 V - - 8 pF trr reverse recovery time IF = 10 mA; I R = 10 mA; R L = 100 Ω; IR(meas) = 1 mA; T amb = 25 °C - - 4 ns |